SSS7N60A

SSS7N60A. C(inch): 1150pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 415 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 28A. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 15:25.