Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9620PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Aantal per doos: 1

C(inch): 700pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 26A. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Maximale afvoerstroom: 6.5A. Vermogen: 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): -200V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9630PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 74W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1200pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Vermogen: 125W. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Behuizing: TO-220AB. Markering van de fabrikant: IRF9640PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Maximale afvoerstroom: 11A. Vermogen: 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.5 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afvoerbronspanning (Vds): -200V

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F9640S. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F9952. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 190/190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F9952Q. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 190/190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F9953. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 54ms. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Behuizing: TO-220AB. Markering van de fabrikant: IRF9Z34NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 620pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 68W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Maximale afvoerstroom: 17A. Vermogen: 56W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): -55V

C(inch): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 54ms. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F9Z34NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 620pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 68W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1423pF. Kosten): 208pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.52 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 14 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2830pF. Kosten): 3310pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 50uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2870pF. Kosten): 3480pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 50uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.21 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1200pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 92A. Binnendiameter (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: B23N15D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4220pF. Kosten): 580pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FB260N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 380W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: SMPS, hoogfrequente DC-DC-converters. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 8970pF. Kosten): 1020pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 44 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 1080A. Binnendiameter (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0021 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 118 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 9400pF. Kosten): 820pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 850A. Binnendiameter (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 370W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0028 Ohm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 69 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 6540pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 840A. Binnendiameter (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 36ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 670A. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS