IRF9Z34NS

IRF9Z34NS. C(inch): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 54ms. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 20:25.