Transistoren

C(inch): 1210pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra-lage poortimpedantie. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 11 ns. Td(aan): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 95. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1700pF. Kosten): 890pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 45A. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 59 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7416. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.04V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 59 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7424. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.04V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 150 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4030pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 7980pF. Kosten): 1480pF. Kanaaltype: P. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.082 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 230 ns. Td(aan): 13 ns. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.45V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3480pF. Kosten): 870pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 64 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. Id(imp): 60.4k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 51 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7455. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 15A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3480pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7468. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2460pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Type transistor: MOSFET. Functie: geïntegreerde schakeling voor DC-DC-converters. Id(imp): 66A. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 30uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.017 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Functie: geïntegreerde schakeling voor DC-DC-converters. Id(imp): 66A. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.017 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 11 ns. Td(aan): 6.3 ns. Technologie: Power-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 31us. Type transistor: MOSFET. Functie: geïntegreerde schakeling voor DC-DC-converters. Id(imp): 88A. Binnendiameter (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 10 ns. Td(aan): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7811. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1801pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7821. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1010pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +155°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7831. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.35V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 17 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6240pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 4310pF. Kosten): 990pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 41us. Type transistor: MOSFET. Functie: Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.031 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 10 ns. Td(aan): 21 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.32V. Vgs(th) min.: 1.39V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3850pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 61 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3850pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 99 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 61 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

Kosten): 92pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 260 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 8A. Binnendiameter (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 33 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. C(inch): 360pF. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF820PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 33 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 360pF

C(inch): 610pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 320 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 18A. Binnendiameter (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 42 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 620 ns. Kosten): 93 ns. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 430 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Temperatuur: +105°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF830PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 610pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Behuizing (JEDEC-standaard): 74W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1300pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 422 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF840APBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1018pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C