IRFB260N

IRFB260N. C(inch): 4220pF. Kosten): 580pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FB260N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 380W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: SMPS, hoogfrequente DC-DC-converters. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 20:25.