Transistoren

C(inch): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 36ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 670A. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: FB3207. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4520pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 31 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 620A. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4750pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 512A. Binnendiameter (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0046 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 310A. Binnendiameter (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. C(inch): 3070pF. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 800pF. Kosten): 74pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 64 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Belangrijke parameters geoptimaliseerd voor klasse-D-audio. Id(imp): 51A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Aan-weerstand Rds Aan: 80m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Digitale audio-MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1200pF. Kosten): 91pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 82 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Belangrijke parameters geoptimaliseerd voor klasse-D-audio. Id(imp): 52A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 80m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 7.8 ns. Technologie: Digitale audio-MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 9620pF. Kosten): 670pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP-schakelaar. Id(imp): 670A. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 370W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Gewicht: 1.99g. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kosten): 490pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 86 ns. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 380W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Gewicht: 1.99g. C(inch): 5270pF. Id(imp): 420A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0093 Ohms. Functie: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4600pF. Kosten): 460pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP-schakelaar. Id(imp): 260A. Binnendiameter (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 19.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4530pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP-schakelaar. Id(imp): 330A. Binnendiameter (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 24 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Klasse-D audioversterker 300W-500W (halve brug). Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 38m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3430pF. Kosten): 530pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FB42N20D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: SMPS, hoogfrequente DC-DC-converters. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4820pF. Kosten): 340pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge snelheid stroomschakeling. Id(imp): 390A. Binnendiameter (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: IRFB4410ZPBF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.072 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 7670pF. Kosten): 540pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 550A. Binnendiameter (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: IRFB4310. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.6M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 68 ns. Td(aan): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 6160pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 74 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 300A. Binnendiameter (T=100°C): 53A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: FB4710. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFB4710PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 35 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6160pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 2770pF. Kosten): 590pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FB52N15D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: Hoogfrequente DC-DC-converters, plasmascherm. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1750pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: voor klasse-D audioversterkertoepassingen. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: IRFB5615PbF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 144W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 17.2ns. Td(aan): 8.9 ns. Technologie: Digitale audio-MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1000A. Binnendiameter (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 78 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. C(inch): 7330pF. Kosten): 1095pF. Functie: BLDC Motoraandrijftoepassingen, batterijgevoede circuits, DC/DC- en AC/DC-converters. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 250A/195A. Vermogen: 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0015 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 40V

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 172A/120A. Vermogen: 143W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.002 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 40V

C(inch): 4730pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 770A. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 143W. Aan-weerstand Rds Aan: 2M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 115 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Functie: BLDC Motoraandrijftoepassingen, batterijgevoede circuits, DC/DC- en AC/DC-converters. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 123A/120A. Vermogen: 99W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0026 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 40V

C(inch): 1400pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 530 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. Binnendiameter (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Binnendiameter (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 8.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.93 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 650V