IRFB23N15D

IRFB23N15D. C(inch): 1200pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 92A. Binnendiameter (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: B23N15D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 20:25.