Transistoren

C(inch): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 422 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF840ASPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1018pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Markering van de fabrikant: IRF840PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 8A. Vermogen: 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing: TO-220. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afvoerbronspanning (Vds): 500V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF840SPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 760pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 12 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 88A. Binnendiameter (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: IRF8707G. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 7.3 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 4.5V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F8736. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.35V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 13 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2315pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F8788. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.35V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5720pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1200pF. Kosten): 570pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 270ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss: 25uA. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 50M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: HEXFET. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits voor laptops. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.039 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 65 ns. Td(aan): 25 ns. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.3V. Aantal per doos: 1. Technologie: HEXFET Vermogens-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9510PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 43W. Td(aan): 10 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 1

C(inch): 390pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 98 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 27A. Binnendiameter (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 27A. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9520. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Behuizing (JEDEC-standaard): 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F9520. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9520PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 390pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 860pF. Kosten): 340pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 88W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 760pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 56A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

Behuizing: TO-220AB. Markering van de fabrikant: IRF9530. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 760pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 79W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Maximale afvoerstroom: 14A. Vermogen: 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): -100V

C(inch): 1400pF. Kosten): 590pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 34 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 76A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 51 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Maximale afvoerstroom: 23A. Vermogen: 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.117 Ohms. Afvoerbronspanning (Vds): -100V. Behuizing: TO-220AB <.45/32nsec

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9540. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 170pF. Kosten): 50pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 7A. Binnendiameter (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9610PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 170pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Behuizing (JEDEC-standaard): 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 350pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS