Transistoren

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 2.2A. Vermogen: 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 4.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 600V

C(inch): 660pF. Kosten): 86pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1300pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 25A. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Markering van de fabrikant: IRFBC40PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 6.2A. Vermogen: 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afvoerbronspanning (Vds): 600V

C(inch): 1300pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 16A. Binnendiameter (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 82 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFBE30PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 82 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 490pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 54W. Aan-weerstand Rds Aan: 8 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 56 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-262 ( I2-PAK ). Behuizing (volgens datablad): TO-262. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFBF30PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 980pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 89 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 1000V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFBG30PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 89 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 980pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 310pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: FET. Functie: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 1.7A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.2. Behuizing: DIP-4. Afvoerbronspanning (Vds): 60V

C(inch): 640pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 88 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 640pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Polariteit: MOSFET N. Vdss (afvoer naar bronspanning): 60V. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 2.5A. Poort-/bronspanning Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Behuizing: DIP4. Montagetype: THT

C(inch): 180pF. Kosten): 81pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.71A. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DIP4. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD110PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.9ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Behuizing (JEDEC-standaard): DIP-4. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DIP4. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD120PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 18 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 360pF

C(inch): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 4.8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 14 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. C(inch): 22pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 6.4A. Binnendiameter (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.8A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7.2 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor van de derde generatie. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 270pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 100dB. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: FET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 8.8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.8A. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Maximale afvoerstroom: 1.1A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. Behuizing: DIP-4. Afvoerbronspanning (Vds): -60V

C(inch): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 100dB. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: FET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 13A. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: NINCS