IRFB11N50A

IRFB11N50A. C(inch): 1423pF. Kosten): 208pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.52 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 14 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 20:25.