N-kanaaltransistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3206

N-kanaaltransistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3206. N-kanaaltransistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 6540pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 840A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 01:25.