Transistoren

C(inch): 2400pF. Kosten): 920pF. Kanaaltype: N. Id(imp): 350A. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 050N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0058 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 6.7 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1900pF. Kosten): 760pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 27uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: PN03L06. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0608. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 215W. Aan-weerstand Rds Aan: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: TO-262 ( I2-PAK ). Behuizing (volgens datablad): TO-262. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 6.9W. Aan-weerstand Rds Aan: 6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing (volgens datablad): PG-SOT223. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 33A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. Vermogen: 171W. Behuizing: TO-220AC. Ingebouwde diode: ja

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 106A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.018 Ohms. Vermogen: 446W. Behuizing: TO-247AC. Ingebouwde diode: ja

C(inch): 130pF. Kosten): 430pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): HexSense TO-220F-5. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2800pF. Kosten): 880pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, ultralage weerstand. Id(imp): 330A. Binnendiameter (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3210pF. Kosten): 690pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 290A. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.11 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Gebruikt voor: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Vgs 20V. Binnendiameter (T=100°C): 71A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Ultra lage weerstand (Rds). Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V

C(inch): 1900pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dynamische dv/dt-verhouding, snel schakelen. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF1310NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F1310NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 5790pF. Kosten): 3440pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 46 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. Binnendiameter (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 83 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 24V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 7360pF. Kosten): 1680pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 71 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. Binnendiameter (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF1404PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 46 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5669pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 333W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 4340pF. Kosten): 1030pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.7M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 36ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F1404S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 72 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 7360pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 4340pF. Kosten): 1030pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.7M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5480pF. Kosten): 1210pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 88 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Binnendiameter (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0046 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Markering van de fabrikant: IRF1405PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5480pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 330W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 169A. Vermogen: 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0053 Ohms. Behuizing: TO-220. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): 55V

C(inch): 4780pF. Kosten): 770pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 600A. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0037 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 48 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5600pF. Kosten): 890pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Diodedrempelspanning: 1.3V. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. Binnendiameter (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0078 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 130A. Vermogen: 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0078 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 75V

C(inch): 6450pF. Kosten): 1690pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: snel schakelen, automobieltoepassingen. Id(imp): 1080A. Binnendiameter (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.8M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS