IPD50N03S2L-06

IPD50N03S2L-06. C(inch): 1900pF. Kosten): 760pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 27uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: PN03L06. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 10:25.