Transistoren

C(inch): 2700pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Repetitive Avalanche Ratings. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: HEXFET Vermogens-MOSFET-transistor. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204A ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3400pF. Kosten): 1400pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 89 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 260A. Binnendiameter (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 74A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 61 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF4905. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 61 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Behuizing (JEDEC-standaard): 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F4905S. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 61 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F4905S. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 180pF. Kosten): 81pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 43W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Markering van de fabrikant: IRF510PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 43W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 5.6A. Vermogen: 43W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): 100V

C(inch): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 37A. Binnendiameter (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 8.8 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Behuizing: TO-220AB. Markering van de fabrikant: IRF520NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 330pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 9.7A. Vermogen: 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): 100V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF520PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 360pF

C(inch): 2700pF. Kosten): 790pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 79 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Maximale afvoerstroom: 40A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): -100V

C(inch): 2860pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 50uA. Markering op de kast: F5210S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.8W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 72 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F5210S. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 79 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 670pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 56A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 88W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1200pF. Kosten): 520pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 71 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Maximale afvoerstroom: 31A. Vermogen: 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): -55V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F5305S. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 110W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F5305S. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 110W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 920pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 93 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 9.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF530NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 920pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 14A. Vermogen: 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 100V

C(inch): 1700pF. Kosten): 560pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: 1.3k Ohms. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.077 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 53 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1960pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 115 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 33A. Vermogen: 130W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 100V