N-kanaaltransistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404Z

N-kanaaltransistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404Z. N-kanaaltransistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.7M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 4340pF. Kosten): 1030pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 12:25.