IRF1310N

IRF1310N. C(inch): 1900pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dynamische dv/dt-verhouding, snel schakelen. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 17/01/2025, 20:25.