IRC640

IRC640. C(inch): 130pF. Kosten): 430pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): HexSense TO-220F-5. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 17/01/2025, 20:25.