Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 1.75€ | 2.12€ |
5 - 9 | 1.66€ | 2.01€ |
10 - 24 | 1.57€ | 1.90€ |
25 - 49 | 1.49€ | 1.80€ |
50 - 93 | 1.45€ | 1.75€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.75€ | 2.12€ |
5 - 9 | 1.66€ | 2.01€ |
10 - 24 | 1.57€ | 1.90€ |
25 - 49 | 1.49€ | 1.80€ |
50 - 93 | 1.45€ | 1.75€ |
IRF1010N. C(inch): 3210pF. Kosten): 690pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 290A. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.11 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Gebruikt voor: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.