Transistoren

C(inch): 5110pF. Kosten): 1190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: snel schakelen, automobieltoepassingen. Id(imp): 700A. Binnendiameter (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.9M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 68 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3850pF. Kosten): 610pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 280A. Binnendiameter (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 13m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Markering van de fabrikant: IRF2807PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3820pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 230W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 82A. Vermogen: 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. Behuizing: TO-220. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): 75V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F2807S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3820pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 230W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 260A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v

C(inch): 6320pF. Kosten): 1980pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. Binnendiameter (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 48 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 7500pF. Kosten): 970pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 41 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: IRF2907Z. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 97 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 180A. Idss (max): 180A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.03 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Spanning Vds(max): 75V

C(inch): 3247pF. Kosten): 781pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Geavanceerde procestechnologie . Id(imp): 390A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF3205PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3247pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 3247pF. Kosten): 781pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Geavanceerde procestechnologie . Id(imp): 390A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250nA. ID s (min): 25nA. Equivalenten: IRF3205SPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 50 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F3205S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3247pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 3450pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Geavanceerde procestechnologie . Id(imp): 440A. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 4.9m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 75A. Vermogen: 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0049 Ohm. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 55V

C(inch): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 174 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 108A. Binnendiameter (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2400pF. Kosten): 640pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 260 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 150A. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 43A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0042 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 71 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 43A. Vermogen: 130W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.042 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 150V

C(inch): 3230pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 23m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF3710PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3130pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 58 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F3710S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3130pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 110A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.047 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 20V. Functie: td(on) 12ns, td(off) 17ns

C(inch): 2980pF. Kosten): 1770pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequent geïsoleerde DC-DC. Id(imp): 440A. Binnendiameter (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 4.7M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2150pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente synchrone buck. Id(imp): 380A. Binnendiameter (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0048 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5310pF. Kosten): 890pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 93 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. Binnendiameter (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: IRF3808. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0059 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 68 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS