Transistoren

Kanaaltype: N-P. Functie: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 47 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Collectorstroom: 25A. Ic(puls): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Markering op de kast: 5N120BND. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 182 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: NPT-serie IGBT-transistor met anti-parallelle hypersnelle diode. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.45V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.8V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Aantal per doos: 1. Functie: HA, hi-def. Let op: 0.2. Spec info: MONITOR

Aantal per doos: 1. Functie: HA, hi-def. Let op: 0.2. Spec info: MONITOR. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 47. Minimale hFE-versterking: 29. Collectorstroom: 7A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 10V. Spec info: Epitaxiale Planaire Transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 160...320. Collectorstroom: 0.1A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126ML. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) HSB1109

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 160...320. Collectorstroom: 3A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Spec info: NIET-geïsoleerde behuizing. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C(inch): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75307D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75307D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3200pF. Kosten): 1170pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75344 G. Pd (vermogensdissipatie, max.): 285W. Aan-weerstand Rds Aan: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 46 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3200pF. Kosten): 1170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75344 P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 285W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 46 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3790pF. Kosten): 810pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 145 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Binnendiameter (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75645 P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0115 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3790pF. Kosten): 810pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 145 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Binnendiameter (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 75645 S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0115 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 41 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-252AB ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 850pF. Kosten): 465pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 58 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 76121D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.017 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 45 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: HUF76145P3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 110 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 135 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 270W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Functie: 6 x IGBT For Power Management. Collectorstroom: 15A. Let op: driefasige AC-motorbestuurder. Frequentie: 20kHz. Aantal aansluitingen: 24. Pd (vermogensdissipatie, max.): 29W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 750 ns. Td(aan): 600 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Bedrijfstemperatuur: -40...+100°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Functie: 6 x IGBT For Power Management. Collectorstroom: 20A. Let op: driefasige AC-motorbestuurder. Frequentie: 20kHz. Aantal aansluitingen: 24. Pd (vermogensdissipatie, max.): 29W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 650 ns. Td(aan): 970 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Bedrijfstemperatuur: -40...+100°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G03H1202. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 3A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 281 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.9V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 62.5W. Maximale collectorstroom (A): 9.9A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Type transistor: IGBT-transistor. Afvoerbronspanning: 1200V. Collectorstroom: 50A. Vermogen: 326W. Behuizing: TO-247AC

C(inch): 4620pF. Kosten): 240pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Functie: Zeer lage VCEsat. Collectorstroom: 140A. Ic(puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Markering op de kast: G75H603. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 428W. RoHS: ja. Levertijd: KB. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 265 ns. Td(aan): 31 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1165pF. Kosten): 40pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Markering op de kast: H15R1203. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 254W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 300 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.48V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.75V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1340pF. Kosten): 43pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 90 ns. Functie: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Markering op de kast: H20MR5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 288W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 350 ns. Td(aan): 260 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): PG-TO247-3. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.55V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.75V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1500pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Inductive?cooking. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Markering op de kast: H20R1353. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 405 ns. Td(aan): 335 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247-3. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 1350V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1360pF. Kosten): 43pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 50 ns. Functie: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Markering op de kast: H20PR5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 288W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): PG-TO247-3. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Collector-emitterspanning Vceo: 1350V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1460pF. Kosten): 78pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Soft Switching Applications. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Markering op de kast: H20T120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 178W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 560 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS