Transistoren

C(inch): 2589pF. Kosten): 77pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Markering op de kast: H30R1202. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 390W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 792 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Functie: Inductief koken, Soft Switch-toepassingen. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1810pF. Kosten): 50pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Markering op de kast: H30PR5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 310 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): PG-TO247-3. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Collector-emitterspanning Vceo: 1350V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Functie: Inductief koken, magnetrons. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Type transistor: IGBT-transistor. Collector-emitter-spanning: 600V. Collectorstroom: 40A. Vermogen: 305W. Behuizing: TO-247AC

Kanaaltype: N. Functie: 6 x IGBT For Power Management. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 30A. Let op: driefasige AC-motorbestuurder. Frequentie: 20kHz. Equivalenten: Samsung--DC13-00253A. Aantal aansluitingen: 24. Pd (vermogensdissipatie, max.): 27.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 800 ns. Td(aan): 560 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.55V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.05V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Type transistor: IGBT-transistor. Collector-emitter-spanning: 600V. Collectorstroom: 24A. Vermogen: 110W. Behuizing: TO-220AB

C(inch): 860pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Functie: Hoge snelheid IGBT in NPT-technologie. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Markering op de kast: K15T60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 188 ns. Td(aan): 17 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.05V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Type transistor: IGBT-transistor. Afvoerbronspanning: 1200V. Collectorstroom: 50A. Vermogen: 326W. Behuizing: TO-247AC. Ingebouwde diode: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: K25T1202. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 25A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 27 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 265 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6.4V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 349W. Maximale collectorstroom (A): 100A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1860pF. Kosten): 96pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 200 ns. Functie: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Collectorstroom: 50A. Ic(puls): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Markering op de kast: K25T120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 560 ns. Td(aan): 50 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1630pF. Kosten): 107pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 117 ns. Functie: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Markering op de kast: K30H603. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 187W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 207 ns. Td(aan): 21 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2330pF. Kosten): 185pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 200 ns. Functie: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Markering op de kast: K40H1203. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 483W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 290 ns. Td(aan): 30 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247N. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.05V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.8V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Type transistor: IGBT-transistor. Collector-emitter-spanning: 1200V. Collectorstroom: 82A. Vermogen: 428W. Behuizing: TO-247AC. Ingebouwde diode: ja

C(inch): 116pF. Kosten): 2960pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 130 ns. Diodedrempelspanning: 1.65V. Functie: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Collectorstroom: 100A. Ic(puls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Markering op de kast: K50H603. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 333W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 235 ns. Td(aan): 23 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 3140pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 143 ns. Functie: Zeer lage VCEsat. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Markering op de kast: K50T60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 333W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 299 ns. Td(aan): 26 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 4620pF. Kosten): 288pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 182 ns. Functie: Zeer lage VCEsat. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Markering op de kast: K75T60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 428W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 330 ns. Td(aan): 33 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DIP-8

C(inch): 440pF. Kosten): 30pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Let op: volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s). Markering op de kast: 6R600E6. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 10uA. Let op: volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s). Markering op de kast: 8R1K0CE. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.83 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: OptiMOS Power. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO263-7. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 128 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 840pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 313W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 4N03L02. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 62 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3400pF. Kosten): 880pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0607. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.6M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 61 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0608. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 215W. Aan-weerstand Rds Aan: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2360pF. Kosten): 610pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0609. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 8000pF. Kosten): 1700pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. Binnendiameter (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 034N06N. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.8m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 63 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): PG-TO252-3 ( DPAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS