Transistoren

C(inch): 1630pF. Kosten): 107pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 117 ns. Functie: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Markering op de kast: K30H603. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 187W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 207 ns. Td(aan): 21 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2330pF. Kosten): 185pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 200 ns. Functie: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Markering op de kast: K40H1203. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 483W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 290 ns. Td(aan): 30 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247N. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.05V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.8V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Type transistor: IGBT-transistor. Collector-emitter-spanning: 1200V. Collectorstroom: 82A. Vermogen: 428W. Behuizing: TO-247AC. Ingebouwde diode: ja

C(inch): 116pF. Kosten): 2960pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 130 ns. Diodedrempelspanning: 1.65V. Functie: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Collectorstroom: 100A. Ic(puls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Markering op de kast: K50H603. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 333W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 235 ns. Td(aan): 23 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 3140pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 143 ns. Functie: Zeer lage VCEsat. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Markering op de kast: K50T60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 333W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 299 ns. Td(aan): 26 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 4620pF. Kosten): 288pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 182 ns. Functie: Zeer lage VCEsat. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Markering op de kast: K75T60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 428W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 330 ns. Td(aan): 33 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DIP-8

C(inch): 440pF. Kosten): 30pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Let op: volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s). Markering op de kast: 6R600E6. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 10uA. Let op: volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s). Markering op de kast: 8R1K0CE. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.83 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: OptiMOS Power. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO263-7. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 128 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 840pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 313W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 4N03L02. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 62 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3400pF. Kosten): 880pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0607. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.6M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 61 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0608. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 215W. Aan-weerstand Rds Aan: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2360pF. Kosten): 610pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0609. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 8000pF. Kosten): 1700pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. Binnendiameter (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 034N06N. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.8m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 63 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): PG-TO252-3 ( DPAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2400pF. Kosten): 920pF. Kanaaltype: N. Id(imp): 350A. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 050N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0058 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 6.7 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1900pF. Kosten): 760pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 27uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: PN03L06. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0608. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 215W. Aan-weerstand Rds Aan: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: TO-262 ( I2-PAK ). Behuizing (volgens datablad): TO-262. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 6.9W. Aan-weerstand Rds Aan: 6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing (volgens datablad): PG-SOT223. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 33A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. Vermogen: 171W. Behuizing: TO-220AC. Ingebouwde diode: ja

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 106A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.018 Ohms. Vermogen: 446W. Behuizing: TO-247AC. Ingebouwde diode: ja

C(inch): 130pF. Kosten): 430pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): HexSense TO-220F-5. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2800pF. Kosten): 880pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, ultralage weerstand. Id(imp): 330A. Binnendiameter (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3210pF. Kosten): 690pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 290A. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.11 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Gebruikt voor: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS