Transistoren

C(inch): 2400pF. Kosten): 650pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PowerMESH™ MOSFET. Id(imp): 136A. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W34NB20. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.62 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 17 ns. Td(aan): 30 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Schakelende voedingen SMPS, DC-AC-converters. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 35A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 255W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: MDmesh II. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. Functie: Idm--140Ap(pulsed). Aantal per doos: 1

C(inch): 4300pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 43NM60ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 255W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Lage poortingangsweerstand. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3800pF. Kosten): 1250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 508 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: W45NM60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 417W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1250pF. Kosten): 128pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 700 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 22.4A. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1154pF. Kosten): 106pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 605 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W5NK100Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 51.5 ns. Td(aan): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 1000V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W7NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 950 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W9NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HIGH SWITCH. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Spec info: hoge snelheid. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 37W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.05 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 7 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 60V. Aantal aansluitingen: 3. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SUP53P06-20. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 104W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SUP75N03-04. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 190 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 10742pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 187W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 3535pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 41 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.003 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Voeding, DC/DC-converter. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -20V. Collectorstroom: -1A. Vermogen: 1W. Maximale frequentie: 65MHz. Behuizing: TO-92. Toepassingen: Audio

Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -45V. Collectorstroom: -1A. Vermogen: 0.8W. Maximale frequentie: 150MHz. Behuizing: TO-92. Toepassingen: Audio

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Collectorstroom: 7A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: ISOWATT218. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1

C(inch): 5500pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Germaniumdiode: onderdrukker. Collectorstroom: 240A. Ic(puls): 240A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 46 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F-3FS. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Collector-emitterspanning Vceo: 430V. Poort-/emitterspanning VGE: 33V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Diversen: flitser, stroboscoopbediening. Technologie: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-weerstand: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Functie: schakelen, audioversterker. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP107. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Darlington-transistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Functie: schakelen, audioversterker. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP102. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 4A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Let op: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

Kosten): 2pF. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Let op: >1000. Aantal per doos: 1. Spec info: TO-220. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP120. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP122. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: silicium. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 8A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP127

Weerstand B: ja. BE-weerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(inch): TO-220. Kosten): 200pF. Conditionering: plastic buis. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: +150°C. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 8A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Conditioneringseenheid: 50. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP127G. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C