STP6NK90Z

STP6NK90Z. C(inch): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 20:25.