STP7NK80Z

STP7NK80Z. C(inch): 1138pF. Kosten): 122pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 530 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20.8A. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P7NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1. Spec info: Zener-Protected. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.