STP9NK60Z

STP9NK60Z. C(inch): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. Binnendiameter (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1us. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.