Transistoren

C(inch): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. Binnendiameter (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P9NK60ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 950 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P9NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 94pF. Kosten): 17.6pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 135 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. Binnendiameter (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 1NK60ZR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Aan-weerstand Rds Aan: 13 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammopak. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermd, ESD verbeterde mogelijkheden. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

Functie: STripFET™ Power MOSFET. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xN-CH 30V. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Kanaaltype: N. Functie: 2xN-CH 60V. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Functie: STripFET™ II Power MOSFET. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xN-CH 20V. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Kanaaltype: N-P. Functie: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 11W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Veldeffecttransistor met dubbele verbeteringsmodus. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 4. Let op: Veldeffecttransistor met dubbele verbeteringsmodus

Kanaaltype: N-P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 11W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 4

C(inch): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W10NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W10NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: W10NK80Z. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 3500pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 560 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: extreem hoge dv/dt-mogelijkheden, schakeltoepassingen. Id(imp): 33.2A. Binnendiameter (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W11NK100Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 98 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 1000V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: W11NK100Z. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 27 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 98 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 230W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 3000pF. Kosten): 240pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 584 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. Binnendiameter (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W11NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.82 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 76 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2620pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 635 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbeterde ESD-mogelijkheden. Id(imp): 42A. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W12NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH™ power MOSFET-transistor beschermd door zenerdiode. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 3500pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 964ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbeterde ESD-mogelijkheden. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W12NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 88 ns. Td(aan): 31 ns. Technologie: SuperMESH™ power MOSFET-transistor beschermd door zenerdiode. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Behuizing: TO-247. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 50mA. ID s (min): 1mA. Markering op de kast: W13NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 61 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 13A. Vermogen: 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . Afvoerbronspanning (Vds): 600V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 470 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50mA. ID s (min): 1mA. Markering op de kast: W14NK50Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . G-S-bescherming: ja

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 15A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Vermogen: 350W. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning (Vds): 900V

C(inch): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 100nA. ID s (min): 10nA. Markering op de kast: 18NM80. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: W20NK50Z. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 28 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 30

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: W20NM50FD. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1380pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 214W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1450pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W20NM60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 26NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.135 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 4.51g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1440pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 28N65M2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 59 ns. Td(aan): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja