STP62NS04Z

STP62NS04Z. C(inch): 1330pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: volledig beschermd. Id(imp): 248A. Binnendiameter (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (max): 62A. Markering op de kast: P62NS04Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 12.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 33V. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.