STP6NK60Z

STP6NK60Z. C(inch): 905pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 445 ns. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 104W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.