STP3NK80Z

STP3NK80Z. C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: zeer hoge dv/dt-verhouding, voor schakeltoepassingen. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 02:25.