STP3NB60

STP3NB60. C(inch): 400pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. Binnendiameter (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P3NB60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 11 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 02:25.