Elektronische componenten en apparatuur, voor bedrijven en particulieren

STP3NB80

STP3NB80
Hoeveelheid excl. BTW incl. BTW
1 - 4 2.05€ 2.48€
5 - 9 1.95€ 2.36€
10 - 12 1.84€ 2.23€
Hoeveelheid U.P
1 - 4 2.05€ 2.48€
5 - 9 1.95€ 2.36€
10 - 12 1.84€ 2.23€
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Hoeveelheid in voorraad : 12
Set van 1

STP3NB80. C(inch): 440pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 10.4A. Binnendiameter (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Aan-weerstand Rds Aan: 4.6 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 02:25.

Gelijkwaardige producten :

Hoeveelheid in voorraad : 82
STP3NK80Z

STP3NK80Z

C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Type tra...
STP3NK80Z
C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: zeer hoge dv/dt-verhouding, voor schakeltoepassingen. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja
STP3NK80Z
C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: zeer hoge dv/dt-verhouding, voor schakeltoepassingen. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja
Set van 1
1.17€ incl. BTW
(0.97€ excl. BTW)
1.17€

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Abonneer u op de nieuwsbrief

Ik ga akkoord met het ontvangen van e-mails en ik begrijp dat ik me na registratie op elk moment kan uitschrijven.

Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.