STP30NF10

STP30NF10. C(inch): 1180pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 110us. Diodedrempelspanning: 1.3V. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.038 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 02:25.