STP5NK80Z

STP5NK80Z. C(inch): 910pF. Kosten): 98pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 17.2A. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P5NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 02:25.