N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 36ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 670A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 36ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 670A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: FB3207. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 4520pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 31 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 620A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0046 Ohm. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 4750pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 512A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 56A, 80A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 310A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. C(inch): 3070pF. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 80m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 800pF. Kosten): 74pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 64 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Belangrijke parameters geoptimaliseerd voor klasse-D-audio. Id(imp): 51A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Digitale audio-MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 80m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1200pF. Kosten): 91pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 82 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Belangrijke parameters geoptimaliseerd voor klasse-D-audio. Id(imp): 52A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 7.8 ns. Technologie: Digitale audio-MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 9620pF. Kosten): 670pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP-schakelaar. Id(imp): 670A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 370W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Gewicht: 1.99g. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 74A, 104A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 0.0093 Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 150V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0093 Ohms. Kosten): 490pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 86 ns. Type transistor: MOSFET. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 380W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Gewicht: 1.99g. C(inch): 5270pF. Id(imp): 420A. Functie: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 19.7m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 4600pF. Kosten): 460pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP-schakelaar. Id(imp): 260A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 4530pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP-schakelaar. Id(imp): 330A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 24 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 38m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Klasse-D audioversterker 300W-500W (halve brug). Id(imp): 180A. ID s (min): 20uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 3430pF. Kosten): 530pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FB42N20D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: SMPS, hoogfrequente DC-DC-converters. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.072 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 4820pF. Kosten): 340pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge snelheid stroomschakeling. Id(imp): 390A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: IRFB4410ZPBF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5.6M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 7670pF. Kosten): 540pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 550A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: IRFB4310. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 68 ns. Td(aan): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 53A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 6160pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 74 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 300A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: FB4710. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 75A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFB4710PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 35 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6160pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 2770pF. Kosten): 590pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FB52N15D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: Hoogfrequente DC-DC-converters, plasmascherm. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 1750pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: voor klasse-D audioversterkertoepassingen. Id(imp): 140A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: IRFB5615PbF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 144W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 17.2ns. Td(aan): 8.9 ns. Technologie: Digitale audio-MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1000A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 78 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. C(inch): 7330pF. Kosten): 1095pF. Functie: BLDC Motoraandrijftoepassingen, batterijgevoede circuits, DC/DC- en AC/DC-converters. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.0015 Ohms, TO-220AB, 40V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0015 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 40V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 250A/195A. Vermogen: 230W

N-kanaaltransistor, 0.002 Ohms, TO-220AB, 40V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.002 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 40V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 172A/120A. Vermogen: 143W

N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 4730pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 770A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 143W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 115 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Functie: BLDC Motoraandrijftoepassingen, batterijgevoede circuits, DC/DC- en AC/DC-converters. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.0026 Ohms, TO-220AB, 40V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0026 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 40V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 123A/120A. Vermogen: 99W

N-kanaaltransistor, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1400pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 530 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS