N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRFB7444PBF

N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRFB7444PBF. N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 4730pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 770A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 143W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 115 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Functie: BLDC Motoraandrijftoepassingen, batterijgevoede circuits, DC/DC- en AC/DC-converters. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 17:25.