N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220AB, 100V, 7.2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI520GPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 37W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 360pF

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220AB, 100V, 9.7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI530GPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 670pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 42W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220AB, 100V, 17A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI540GPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220 FULLPAK. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 110A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 54W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 800pF. Kosten): 240pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: IRFI630G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220AB, 200V, 5.9A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI630GPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 32W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220AB, 200V, 9.8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI640GPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 1100pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 380 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low Gate Charge. Id(imp): 23A. ID s (min): 25uA. Let op: Viso 2500V. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220AB, 400V, 5.4A, 0.55 Ohms 40W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Behuizing (JEDEC-standaard): 0.55 Ohms 40W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI740G. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 54 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohm 40W. Behuizing: TO-220-F. Binnendiameter (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. Afvoerbronspanning (Vds): 500V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 4.6A. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: diode. Id(imp): 18A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220AB, 500V, 4.6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI840GPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.4 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 290ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 6A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 660pF. Kosten): 86pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Functie: Switching. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1300pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 470ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220AB, 900V, 1.9A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFIBF30GPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.024 Ohms, 22A, 31A, 31A, TO-220FP, TO-220F, 55V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.024 Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 31A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 55V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 55V, 1.9A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FL014N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 60V, 2.7A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FA. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 13 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 400pF. Kosten): 145pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 35 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 11.2A. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRFL024NPBF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 22.2 ns. Td(aan): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 55V, 2.8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FL024N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FL110. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.9ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 7.7A. ID s (min): 25uA. Let op: zeefdruk/SMD-code FC. Markering op de kast: FC. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 14 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 200V, 0.96A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FC. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 14 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 140pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 55V. RoHS: ja. C(inch): 660pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 30A. ID s (min): 25uA. IGF: 660pF. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 100V, 1.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FL4310. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 330pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C