N-kanaaltransistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V - IRFB9N65A

N-kanaaltransistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V - IRFB9N65A. N-kanaaltransistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 8.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.93 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 650V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Origineel product van fabrikant Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 12:25.