N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, SO8, -55V. Behuizing: SO8. Vdss (afvoer naar bronspanning): -55V. Serie: HEXFET. Polariteit: MOSFET N+P. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 3.4A. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Montagetype: SMD

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7389. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26/34 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 650/710pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: MOSFET-transistor met snel schakelvermogen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 40A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: V-MOS. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 4 v

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 400V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF740LC. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1100pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 400V, TO220AB. Vdss (afvoer naar bronspanning): 400V. Behuizing: TO220AB. Polariteit: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 10A. Spanning: 10V. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montagetype: THT

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 400V, 10A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF740SPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1600pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 74 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 58A. ID s (min): 12uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 8.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 13A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7413. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1210pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 95. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra-lage poortimpedantie. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 100A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 11 ns. Td(aan): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-kanaaltransistor, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 3480pF. Kosten): 870pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 64 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 51 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: V-MOS. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.6V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 15A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 15A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7455. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3480pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 40V, 9.4A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7468. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2460pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.017 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: geïntegreerde schakeling voor DC-DC-converters. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 66A. ID s (min): 30uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.017 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: geïntegreerde schakeling voor DC-DC-converters. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 66A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 11 ns. Td(aan): 6.3 ns. Technologie: Power-MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 31us. Type transistor: MOSFET. Functie: geïntegreerde schakeling voor DC-DC-converters. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 88A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 10 ns. Td(aan): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 10.8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7811. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1801pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 13.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7821. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1010pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +155°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 21A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7831. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.35V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 17 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6240pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 20A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7831. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.32V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4310pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +155°C

N-kanaaltransistor, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3850pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 320A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 61 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3850pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 99 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 320A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 61 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 360pF. Kosten): 92pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 260 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 8A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 33 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 500V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF820PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 33 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 360pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 610pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 320 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 18A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 42 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 620 ns. Kosten): 93 ns. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 430 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 20A. ID s (min): 25uA. Temperatuur: +105°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V