N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. Binnendiameter (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 2.7A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: MOS-N-FET. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

N-kanaaltransistor, 20mA, TO-92, TO-92. ID (T=25°C): 20mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: NINCS. Aantal per doos: 1. Type transistor: JFET. Functie: VHF/RF-versterker. G-S-bescherming: NINCS. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial

N-kanaaltransistor, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (max): 9mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 25V. C(inch): 4.5pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: NINCS. Aantal per doos: 1. Type transistor: JFET. Functie: Uni sym. G-S-bescherming: NINCS. ID s (min): 2mA. IGF: 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: JFET-transistor voor algemeen gebruik. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 3.5V. Poort/bronspanning (uit) max.: 7V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (max): 16mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 25V. C(inch): 2250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: NINCS. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 53 ns. Type transistor: FET. Functie: Uni sym. G-S-bescherming: NINCS. ID s (min): 4mA. IGF: 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4mA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: JFET-transistor voor algemeen gebruik. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 4.5V. Poort/bronspanning (uit) max.: 8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 5mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (max): 5mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 25V. C(inch): 5pF. Kosten): 2pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: JFET. Functie: VHF/UHF, RF-versterker. ID s (min): 1mA. IGF: 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: J-FET. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-46, 20V, 10mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-46. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. RoHS: ja. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N6550. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +125°C

N-kanaaltransistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): O-92Ammo-Pack. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 0.5A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 2n7000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Gewicht: 0.18g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 10 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V

N-kanaaltransistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 0.5A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 2n7000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Gewicht: 0.18g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 10 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V

N-kanaaltransistor, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 7.5 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Klein signaal MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 0.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 702. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: 702. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: V-MOS. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 60V, 0.210A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: K72. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 2.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 7.6 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 50pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.37W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.2 Ohms. Behuizing: SOT-363 ( SC-88 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 22pF. Kosten): 11pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 2. Type transistor: MOSFET. Functie: Motorcontrole, energiebeheer. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 0.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: K72. Aantal aansluitingen: 6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 400mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 11 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Verbeteringsmodus MOSFET . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 60V, 0.115A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 72. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 50pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220D-A1. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. C(inch): 580pF. Kosten): 86pF. CE-diode: NINCS. Kanaaltype: N. Functie: Stuurprogramma voor plasmascherm. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 87 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.5V

N-kanaaltransistor, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220D-A1. Collector-emitterspanning Vceo: 540V. C(inch): 1200pF. Kosten): 125pF. CE-diode: NINCS. Kanaaltype: N. Functie: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 230A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 75 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.5V

N-kanaaltransistor, 20mA, 2.5mA, 2.5mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (max): 2.5mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: HF-versterking. ID s (min): 2.5mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

N-kanaaltransistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 24A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 8.5 ns. Td(aan): 4 ns. Technologie: V-MOS. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 24A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 1000V. C(inch): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 24A. Markering op de kast: K1120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Spec info: DC-DC-converter en motoraandrijvingstoepassing. Gewicht: 4.6g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 3.5V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-kanaaltransistor, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2800pF. Kosten): 780pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 80A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Spec info: High speed switching Low drive current. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 32 ns. Technologie: V-MOS. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v

N-kanaaltransistor, 30A, 30A, 0.08 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 30A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.08 Ohms. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W

N-kanaaltransistor, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 24A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-kanaaltransistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1400pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Low Driving Power High Speed Switching. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 23A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 300 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: V-MOS. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-kanaaltransistor, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Behuizing: TO-3PN 13-16A1A. Spanning Vds(max): 1400V. C(inch): 1800pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogspanningsschakeling. Germaniumdiode: NINCS. Id(imp): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 240W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 220 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 3.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1.5V

N-kanaaltransistor, 15A, 30A, 30A, 0.028 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 30A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Spec info: Compatibel met logisch niveau. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Veldeffecttransistor MOS II.5. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V