Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 1.69€ | 2.04€ |
5 - 9 | 1.61€ | 1.95€ |
10 - 24 | 1.52€ | 1.84€ |
25 - 47 | 1.44€ | 1.74€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.69€ | 2.04€ |
5 - 9 | 1.61€ | 1.95€ |
10 - 24 | 1.52€ | 1.84€ |
25 - 47 | 1.44€ | 1.74€ |
N-kanaaltransistor, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC30A. N-kanaaltransistor, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 22:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.