N-kanaaltransistor, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA - IRFB4110PBF

N-kanaaltransistor, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA - IRFB4110PBF. N-kanaaltransistor, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 370W. RoHS: ja. Gewicht: 1.99g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(inch): 9620pF. Kosten): 670pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP-schakelaar. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 670A. ID s (min): 20uA. Origineel product van fabrikant Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 14:25.