N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 500V, TO220AB. Vdss (afvoer naar bronspanning): 500V. Behuizing: TO220AB. Polariteit: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 4.5A. Spanning: 10V. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montagetype: THT

N-kanaaltransistor, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1300pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 32A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 422 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 32A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 500V, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF840APBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1018pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 422 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 32A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF840ASPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1018pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 500V, 8A, PCB-solderen, TO-220AB, 10V. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): 10V. Markering van de fabrikant: IRF840PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF840SPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.142 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 760pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 12 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 88A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: IRF8707G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 7.3 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 4.5V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 24A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F8788. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.35V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5720pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F9952. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 190/190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F9952Q. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 190/190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.52 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1423pF. Kosten): 208pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 52nC. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 44A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. RoHS: ja. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 14 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2830pF. Kosten): 3310pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 68A. ID s (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.21 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2870pF. Kosten): 3480pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 80A. ID s (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 1200pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 92A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: B23N15D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 4220pF. Kosten): 580pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS, hoogfrequente DC-DC-converters. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 220A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FB260N. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 380W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0021 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 8970pF. Kosten): 1020pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 44 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 1080A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 118 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0028 Ohm. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 9400pF. Kosten): 820pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 850A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 370W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 69 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.082 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 2370pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS, hoogfrequente DC-DC-converters. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 124A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: FB32N20D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 6540pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 840A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 36ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 670A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 36ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 670A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: FB3207. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 4520pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 31 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 620A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0046 Ohm. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 4750pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 512A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V