N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 8.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.93 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 650V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 4.4 Ohms, TO-220, 600V. Aan-weerstand Rds Aan: 4.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 600V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 2.2A. Vermogen: 50W

N-kanaaltransistor, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 660pF. Kosten): 86pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1300pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 25A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 600V, 6.2A, 1.2 Ohms, TO-220, 600V. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 600V. Markering van de fabrikant: IRFBC40PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 6.2A. Vermogen: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1300pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 16A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 82 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 800V, 4.1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFBE30PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 82 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 8 Ohms. Behuizing: TO-262 ( I2-PAK ). Behuizing (volgens datablad): TO-262. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 490pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 54W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 56 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 900V, 3.6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFBF30PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 1000V. C(inch): 980pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 89 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 1 kV, 3.1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFBG30PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 89 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 980pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 310pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: FET. Functie: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Id(imp): 14A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.2, DIP-4, 60V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.2. Behuizing: DIP-4. Afvoerbronspanning (Vds): 60V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 1.7A

N-kanaaltransistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 640pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 88 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 60V, 2.5A, 60V, DIP4. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Vdss (afvoer naar bronspanning): 60V. Behuizing: DIP4. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 640pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Polariteit: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 2.5A. Poort-/bronspanning Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Montagetype: THT

N-kanaaltransistor, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 0.71A. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 180pF. Kosten): 81pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, DIP4, 100V, 1A, DIP-4. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DIP4. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Behuizing (JEDEC-standaard): DIP-4. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD110PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.9ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, DIP4, 100V, 1.3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DIP4. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD120PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 18 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 360pF

N-kanaaltransistor, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 4.8A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 14 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.8A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 200V. RoHS: ja. C(inch): 22pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 6.4A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7.2 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor van de derde generatie. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220AB, 55V, 64A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI3205PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 63W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220 FULLPAK. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 29A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 37W. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 8.8 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor van de derde generatie. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja