N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 470pF. Kosten): 13pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 230 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: voor schakelende spanningsregelaars. Id(imp): 28A. Markering op de kast: TK7P60W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.7 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10U1B. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1350pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 30Ap. Markering op de kast: K8A65D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 0.3A. Aan-weerstand Rds Aan: 2.3 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 240V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: 9.31k Ohms. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 58 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 7150pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6435pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 47 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4456pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 107W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5022pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 107W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 56 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6870pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 60V, 107A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 78 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6253pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 20V, -6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 0.6V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 562pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 0.47A. Idss (max): 0.47A. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Technologie: V-MOS. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNB10N07. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 900ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNB14N04. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 120ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 500 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNB35N07-E. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 200 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 800 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNB49N04. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 600 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 2400 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

N-kanaaltransistor, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 75uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 45V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. ID s (min): 30uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 1NV04P

N-kanaaltransistor, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 70V. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 125 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Volledig automatisch beveiligde power-mosfet. G-S-bescherming: Zenerdiode. Id(imp): 14A. ID s (min): 50uA. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 230 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Lineaire stroombeperking

N-kanaaltransistor, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.05 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 70V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Volledig automatisch beveiligde power-mosfet. ID s (min): 50uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: OMNIFET. Maximale dissipatie Ptot [W]: 83W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): MOSFET. Afvoerbronspanning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Spanning Vds(max): 70V. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNP35N07. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 200 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 1000 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 100 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Gebruikt voor: Ilim= 35A IR= -50A. Vin-ingangsspanning (max): 18V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 70V, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNP5N07-E. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 250 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

N-kanaaltransistor, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 75uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 45V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 107ns. Type transistor: MOSFET. ID s (min): 30uA. Let op: zeefdruk/SMD-code S3NV04DP. Markering op de kast: S3NV04DP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 450 ns. Td(aan): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 650V, 38A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 53 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 193 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2940pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 277W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.0055 Ohms, TO-220AB, 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0055 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 100V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 130A. Vermogen: 260W

N-kanaaltransistor, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0029 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 60V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 200A. Vermogen: 260W

N-kanaaltransistor, 0.0086 Ohms, TO-220, 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0086 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 100V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 70A. Vermogen: 125W