Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: SOT-227B (ISOTOP). Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: GigaMOS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 48 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 80 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 41000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 940W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 9100pF. Kosten): 2200pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Elektrisch geïsoleerd achteroppervlak. Id(imp): 480A. ID (T=25°C): 105A. Idss (max): 2uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 400W. Aan-weerstand Rds Aan: 17m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Let op: isolatiespanning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuut. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 7000pF. Kosten): 2250pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Elektrisch geïsoleerd achteroppervlak. Id(imp): 380A. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 1.5mA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 13m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Let op: isolatiespanning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuut. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 7600pF. Kosten): 2900pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Elektrisch geïsoleerd achteroppervlak. Id(imp): 400A. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Let op: isolatiespanning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuut. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 7500pF. Kosten): 920pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 2mA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 560W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.24 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: PLUS247. Behuizing (volgens datablad): PLUS-247 (TO247 zonder bevestigingsgat). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1500pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 130 ns. Functie: HiPerFAST IGBT with Diode. Collectorstroom: 48A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 24A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 15 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AD ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.5V. Let op: HiPerFAST IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2700pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 120ns. Functie: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 32A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 25 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. CE-diode: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AD. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 39N60BD1. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 76A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 25 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 500 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Maximale collectorstroom (A): 152A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 2560pF. Kosten): 210pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 25 ns. Functie: C2-Class High Speed IGBT. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 33A. Ic(T=100°C): 200A. Let op: geïsoleerde behuizing. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 18 ns. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1960pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 25 ns. Functie: Hoge snelheid PT IGBT s voor 40-100 kHz schakelen. Collectorstroom: 56A. Ic(puls): 230A. Ic(T=100°C): 27A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 92 ns. Td(aan): 19 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Spec info: Elektrisch geïsoleerd achteroppervlak. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 3900pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 35ns. Functie: C2-Class High Speed IGBT. Collectorstroom: 75A. Ic(puls): 300A. Ic(T=100°C): 48A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 18 ns. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Let op: HiPerFAST IGBT-transistor. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2113pF. Kosten): 197pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Functie: IGBT met ultrasnelle zachte hersteldiode. Collectorstroom: 75A. Ic(puls): 260A. Ic(T=100°C): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 268W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 127 ns. Td(aan): 43 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: isolatie 2500V (50/60Hz RMS, t=1minuut). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.092 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 97 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263AB ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 300V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AD. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXTH24N50. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 80 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AD. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXTH5N100A. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 4800pF. Kosten): 1020pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 160 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 600W. Aan-weerstand Rds Aan: 24m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 12pF. Kosten): 2210pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 315 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: P-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 270A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 890W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 89 ns. Td(aan): 32 ns. Technologie: PolarPTM Power MOSFET. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 92m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 97 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 300V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4000pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 130A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 92 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 97 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 300V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2500pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 176W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.066 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2770pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 2uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 92m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 97 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 300V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2890pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 480W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aan-weerstand Rds Aan: 270 milliOhms. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 6300pF. Kosten): 950pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 600W. Aan-weerstand Rds Aan: 40m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 96 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 300V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 160pF. Kosten): 35pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. ID s (min): 100mA. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Aan-weerstand Rds Aan: 8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 5 ns. Td(aan): 6 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 25V. Poort-/bronspanning Vgs: 0.7V. Poort/bronspanning (uit) max.: 4.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS