IXFR120N20P

IXFR120N20P. C(inch): 9100pF. Kosten): 2200pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Elektrisch geïsoleerd achteroppervlak. Id(imp): 480A. ID (T=25°C): 105A. Idss (max): 2uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 400W. Aan-weerstand Rds Aan: 17m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Let op: isolatiespanning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuut. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.