IXFR200N10P

IXFR200N10P. C(inch): 7600pF. Kosten): 2900pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Elektrisch geïsoleerd achteroppervlak. Id(imp): 400A. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Let op: isolatiespanning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuut. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 18:25.