IXTA36N30P

IXTA36N30P. C(inch): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.092 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 97 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263AB ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 300V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 08:25.