Transistoren

Kanaaltype: N. Type transistor: FET. Functie: Up 10V. ID s (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Aan-weerstand Rds Aan: 30 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Spanning Vds(max): 35V. Poort/bronspanning (uit) max.: 10V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3V. Aantal per doos: 1

C(inch): 28pF. Kosten): 5pF. Kanaaltype: N. Type transistor: FET. Functie: Up 4.5V. Idss (max): 5mA. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 Ammo-Pak. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 35V. Poort/bronspanning (uit) max.: 5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1V. Aantal per doos: 1

C(inch): 28pF. Kosten): 5pF. Kanaaltype: N. Type transistor: FET. ID s (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Aan-weerstand Rds Aan: 100 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 35V. Poort-/bronspanning Vgs: 35V. Poort/bronspanning (uit) max.: 3V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: P. Type transistor: FET. Functie: P-Channel Switch. Idss (max): 100mA. ID s (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Aan-weerstand Rds Aan: 85 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: P-Channel Switch. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 10V. Poort/bronspanning (uit) min.: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J175. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Componentfamilie: P-kanaal JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: P. Type transistor: JFET. Idss (max): 25mA. ID s (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Aan-weerstand Rds Aan: 250 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: P-Channel Switch. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 4 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Functie: VGS(off) 1V...4V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 35...125. Collectorstroom: 500mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-5. Behuizing (volgens datablad): TO-5. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Spec info: Lo-Pwr BJT

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 0.1A. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 0.1A. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 0.1A. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Spec info: KSA642-O

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Collectorstroom: 0.15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: 9mm. Collectorstroom: 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF/S. Collectorstroom: 0.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Spec info: 9 mm hoogte. CE-diode: ja

Kosten): 55pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 150V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSC2073. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 2pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 300. Collectorstroom: 50mA. Markering op de kast: A992. Equivalenten: 2SC992. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 3L (AMMO). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSC1845. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 9 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 150. Collectorstroom: 3A. Markering op de kast: B1366-G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSD2012. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 110 MHz. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Spec info: SAMSUNG. CE-diode: ja

Kosten): 2.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 0.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: Kleur TV Chroma-uitvoer (VID-L). Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 200mA. Markering op de kast: C1507 O. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: Kleur TV Chroma-uitvoer (VID-L). Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 200mA. Markering op de kast: C1507 Y. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. CE-diode: ja

Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 110 MHz. Functie: HIFI-audioversterker. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 300. Collectorstroom: 50mA. Markering op de kast: C1845. Equivalenten: 2SC1845. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 3L (AMMO). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.07V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSA992. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Collectorstroom: 0.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. CE-diode: ja

Kosten): 50pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: TV verticale afbuigingsuitgang. Maximale hFE-versterking: 125. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 1.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSA940. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 50pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: TV verticale afbuigingsuitgang. Maximale hFE-versterking: 125. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 1.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSA940. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS