IXTQ88N30P

IXTQ88N30P. C(inch): 6300pF. Kosten): 950pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 600W. Aan-weerstand Rds Aan: 40m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 96 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 300V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 02:25.